国内首个全产业链碳化硅芯片 IPO 落地在即基

2026 年 6 月 17 日，港交所披露信息显示，国内碳化硅 IDM 龙头基本半导体正式递交主板 IPO 申请，成为国内首家覆盖衬底、外延、芯片制造、封装模组全链条的碳化硅芯片企业冲击资本市场，有望拿下中国碳化硅芯片第一股，填补国内功率碳化硅芯片独立上市空白，标志我国第三代半导体产业化进入资本化加速通道。

全链条 IDM 稀缺标的，打破海外器件垄断格局

不同于天岳先进、瀚天天成等聚焦衬底、外延材料环节的上市企业，基本半导体是国内唯一实现碳化硅全流程量产交付的 IDM 厂商，打通 6 英寸碳化硅晶圆制造、车规级 MOSFET 芯片、功率封装模组完整产线，彻底摆脱对海外芯片设计、流片代工依赖。

公司核心产品 1200V/1700V 碳化硅功率芯片、车载主驱功率模块已通过 IATF16949 车规认证，批量供货头部新能源车企、光伏逆变器、储能变流器与 AI 数据中心高压电源厂商。相较传统硅基 IGBT，碳化硅芯片可降低整车电耗 5%-8%、提升光伏转换效率 1.5 个百分点，同时适配 AI 服务器 800V 高压供电架构，是能源与算力产业升级核心元器件。

招股书显示，企业估值超 50 亿元，累计获得 49 家一线 VC、产业资本投资，股东阵容覆盖半导体产业基金、新能源头部企业与国家级科创投资平台，行业认可度领先。本次为公司第三次冲击港股上市，拟发行不超过 3935.78 万股境外普通股，同步完成境内股份境外转换，拓宽国际化融资渠道。

募资四大投向，全面扩产 + 攻坚高端车规芯片

本次 IPO 募集资金将按比例分配至产能扩张、前沿研发、产业上下游布局、补充运营资金四大板块：

产能扩建（40%）：升级深圳光明 6 英寸碳化硅芯片产线、无锡功率模块封装基地，新增光刻、高温离子注入、薄膜沉积等国产核心设备，规划模块年产能提升至 200 万只，缓解当前车规芯片交货周期拉长、产能紧缺现状；
技术研发（30%）：重点攻关新一代 8 英寸碳化硅 MOSFET、高压 SiC 二极管、车用一体化功率模组，布局适配 AI 算力的高频碳化硅器件，攻克大尺寸晶圆良率、高温可靠性等 “卡脖子” 工艺；
产业链配套（20%）：向上配套碳化硅外延、衬底验证产线，向下建设车规级可靠性实验室，完善国产碳化硅闭环供应链；
流动资金（10%）：支撑原材料备货、全球化市场拓展与海外技术合作落地。

产业风口共振，碳化硅迎来多重需求爆发周期

2026 年国内碳化硅行业迎来供需拐点，6 英寸衬底价格触底反弹，行业库存维持低位，新能源汽车、光伏储能、AI 算力三重需求同步放量。机构预测，2025-2030 年全球碳化硅功率器件市场年复合增速超 20%，2030 年市场规模突破 120 亿美元；其中 AI 数据中心高压电源将成为第二增长曲线，为碳化硅芯片打开全新增量空间。

政策层面，“十五五” 规划纲要将宽禁带半导体列为战略重点，2026 年政府工作报告明确提出支持 8 英寸及以上碳化硅衬底、功率器件产业化，各地配套研发补贴、产线落地扶持政策持续落地，国产替代进入黄金周期。过去国内碳化硅上市企业集中于上游材料，功率芯片环节长期缺少独立上市平台，基本半导体 IPO 将补齐产业链资本版图，带动芯片设计、制造、封装配套企业加速发展。