本报讯 作为全球规模最大、技术最领先的晶圆代工龙头，台积电正启动史上最激进的全球建厂扩张计划。2026年以来，公司持续提速海内外厂区建设，同步推进台湾本土、美国、日本多地晶圆厂及先进封装产线落地，以翻倍式建设节奏扩充先进制程产能，全面应对AI算力芯片、高端逻辑芯片爆发式市场需求，重塑全球半导体产业供应链格局。

据台积电2026年技术研讨会及最新财报会议披露，公司当前在全球范围内推进18座晶圆及封装工厂的新建与改造工程，其中包含5座先进封装厂，产能建设速度实现跨越式提升，年均新建、改造厂区数量达9座，较过往年均4座的建设规模实现翻倍增长，规模化扩张态势十分显著。此次大规模扩产聚焦3nm、2nm等尖端制程与CoWoS先进封装领域，精准匹配全球高端芯片紧缺的市场现状。

台湾本土作为台积电核心生产基地，承载着先进制程的核心产能布局。目前，台积电正深耕台南科学园区GIGAFAB超级厂区集群，新增一座3纳米专属晶圆厂，该项目建设稳步推进，预计2027年上半年正式实现量产，将进一步夯实台湾在全球先进晶圆制造领域的核心地位。数据显示，此次全球18座新建及改造设施中，12座落地中国台湾地区，充分凸显台积电坚守本土核心产能、保障高端制程自主可控的战略基调。2025年，台积电全年资本支出达388亿美元，核心资金均聚焦本土先进制程扩产、先进封装产线升级及全球厂区设备配套建设。

在海外市场，台积电美日两大核心布局厂区迎来关键突破，高端制程落地节奏持续提速。美国亚利桑那州厂区扩张力度持续加码，继首座晶圆厂实现4nm制程量产之后，台积电近期宣布再度追加200亿美元投资，持续扩容北美产能。目前亚利桑那第二座3nm晶圆厂建设工程已全面竣工，将于2026年夏季启动设备迁入，2027年下半年实现量产，较原计划提前近一年；同时，第三座适配2nm及更先进制程的晶圆厂已启动建设，台积电董事长魏哲家确认，将把3nm、2nm乃至1.6nm尖端制程技术全面导入美国厂区，深度贴合北美科技企业供应链需求。

日本市场布局同步升级，助力东亚高端半导体产能落地。台积电熊本厂区建设按既定时间表稳步推进，且重磅升级制程规划，将熊本二厂制程提升至3nm级别，项目总投资达170亿美元。该项目落地后，将彻底填补日本本土无3nm先进晶圆制造的空白，成为台积电深耕东亚市场、分散全球供应链风险的重要支点。针对市场流传的中东、非洲建厂传闻，台积电在2026年6月股东会中正式澄清，暂无相关建厂规划，所有不实海外扩张传闻均不落地，公司海外布局将聚焦美、日核心区域稳步推进。

业内分析人士指出，此轮台积电大规模、高速度的全球建厂浪潮，核心驱动力源于全球AI产业爆发带来的算力芯片刚需扩容。当前人工智能服务器、高端消费电子、高性能计算设备对先进制程芯片及先进封装产能的需求持续井喷，全球高端晶圆产能长期处于供不应求状态。台积电通过本土深耕、海外定点扩容的双重策略，既守住了先进制程核心产能与技术壁垒，又通过全球化布局适配区域供应链本地化趋势，有效对冲地缘市场风险。

随着各厂区逐步落地投产，未来两年台积电3nm、2nm先进制程产能及CoWoS先进封装产能将迎来集中释放期，不仅将稳固其全球晶圆代工领域的绝对龙头地位，也将为全球半导体产业链、AI科技产业的持续迭代提供核心产能支撑，推动全球芯片供应链向更稳定、更高质量的方向发展。