伴随全球 AI 大模型算力持续爆发，HBM 高带宽存储行业竞争逻辑迎来历史性转折。继过往数十年比拼堆叠层数、单颗容量与传输带宽之后，迈入 HBM5 迭代周期，热管理散热能力正式成为三星、SK 海力士、美光三大存储巨头的核心博弈赛道，三家企业依托差异化自研技术，在 2026 台北 Computex 展会集中亮出新一代内嵌式散热方案，全面打响 HBM5 散热保卫战。
当前 AI 服务器 GPU 功耗逼近单颗 1000W，HBM5 向 12~20 层超高堆叠演进，芯片间 D2D PHY 互联区域热量密度指数级暴涨，高温降频成为制约 HBM 带宽释放、良率提升的核心瓶颈。英伟达、AMD 等 AI 芯片客户持续向存储厂商施压，倒逼产业链从 “后端整机被动散热” 转向 “芯片封装原生散热”，散热技术从配套附属环节升级为 HBM5 架构设计刚需。
在本届 Computex 2026 上，三星电子正式展出 HBM5 原型产品，落地自研 **HPB（Heat Path Block 铜基导热块）** 核心散热技术，成为本届展会最大技术看点。HPB 在 HBM 裸片内部搭建烟囱式独立导热通路，铜基材质导热效率较传统封装高分子材料高出 500~1000 倍，精准疏导高热集中的 D2D PHY 热源；该方案已在 HBM4E 增强版、Exynos 旗舰处理器完成量产验证，实测可降低芯片热阻、整机散热性能提升 30%。三星规划 HBM5 采用自研 2nm 基底工艺，12~20 层多规格堆叠，搭载 HPB 方案预计 2028 年实现规模化量产，目前 12 层 HBM4E 样品已批量送样头部 AI 客户。
早于展会前夕，SK 海力士抢先发布iHBM 内嵌冷却技术，以 ICE 硅基冷却元件嵌入 HBM 封装内部，聚焦热源区定制散热通道，相较传统方案热阻下降超 30%；技术依托成熟 MR-MUF 封装工艺，兼容现有服务器硬件架构，客户无需改动整机设计即可落地导入，产品规划配套 HBM5 于 2029-2030 年量产落地，依托封装技术优势稳固高端 AI 存储供货份额。
区别于韩系厂商 “封装内嵌导热元件” 路线，美光走出差异化技术路径，主攻低功耗架构优化 + TSV 硅通孔沟槽冷却双线方案：一方面通过 DRAM 底层电路精简降低原生功耗，从源头削减发热；另一方面在硅通孔内部开设微型沟槽，配合定制热界面材料导出堆叠层余热，依靠低功耗 + 轻量化散热布局深耕中端定制化 HBM5 市场，补齐自身高端热管理短板。
集邦咨询分析师表示，HBM5 散热军备竞赛将重塑全球存储产业格局，热界面材料、内嵌导热结构、先进封装配套产业链迎来扩容红利。随着三大厂商散热技术逐步落地量产，2027 年起 HBM 产品合约价格将稳步上行，散热能力优劣将直接决定各家在 AI 算力供应链的订单份额。
行业结语
从堆叠内卷到温控决胜，HBM5 标志高带宽存储正式进入算力、容量、散热三位一体的全新发展周期。三大巨头的散热技术博弈，既是应对 AI 算力高热需求的被动转型，也是抢占下一代高端存储话语权的主动布局，全球 HBM 产业链或将迎来新一轮技术洗牌与供应链重构。
