AI 算力革命重构全球存储产业格局，传统二维 DRAM 逼近物理微缩极限。韩国以政企协同、千亿级资本投入、全链条技术攻坚的组合拳，将高带宽内存 HBM定位为 “新一代 DRAM” 核心替代赛道，同步布局 3D DRAM、SOM、MRAM 等颠覆性存储技术，试图复刻 DRAM 时代全球垄断优势，牢牢攥住 AI 产业底层核心筹码。
首尔 2026 年 6 月 22 日电｜当下全球大模型训练、超算、AI 服务器对高带宽、低延迟存储需求爆发，常规 DDR DRAM 带宽瓶颈日益凸显，HBM 成为算力芯片刚需配套，市场规模持续翻倍。依托全球超 90% HBM 市场份额，韩国正式开启一场覆盖政府、两大存储巨头、上下游设备材料的长期战略豪赌，目标是把 HBM 打造为继传统 DRAM 之后，又一个由韩国定义标准、掌控产能、垄断利润的核心存储品类。
一、巨头千亿加码，产能与技术双线 all in 下一代存储
三星电子、SK 海力士作为产业双引擎，同步抛出史上最大规模投资计划，全部资源倾斜 HBM 与新一代 DRAM 架构。
三星 2026 年全年资本开支与研发投入超 110 万亿韩元（约 733 亿美元），资金核心流向平泽、华城两大存储基地。平泽 P4 工厂提前至 2026 年四季度投产，专属 1c 先进 DRAM 制程，月产 10-12 万片晶圆，全部供给 HBM4、HBM5 高端产品；同步加速 P5 晶圆厂建设，锁定 2028 年长期产能供给。公司已在台北电脑展首发搭载 HPB 散热创新的 HBM5 原型，依靠 1c DRAM 基底解决高密度堆叠散热痛点，同步推进 3D 垂直栅极 DRAM 技术，突破传统平面 DRAM 微缩天花板。
SK 海力士宣布未来五年晶圆产能整体翻倍，新建 M15X、龙仁先进存储工厂全速落地。短期主力量产 12 层堆叠 HBM4E，推出适配 AI 芯片的定制化 HBM 方案；中长期规划 2029-2031 年落地 HBM5 与 3D DRAM，自研 SOM 存储级内存填补 DRAM 与闪存性能空白，兼顾数据中心、边缘 AI 多元场景需求。集团会长崔泰源公开表态，存储供需紧缺周期或将延续至 2030 年，企业将不计成本保障技术迭代与产能扩张。
产能扩张之外，两家企业全面升级先进制程与 EUV 设备布局，在 10nm 级 1c/1d DRAM 工艺大规模导入多层极紫外光刻，同步预研高 NA EUV 技术，为下一代 HBM 芯片提供底层工艺支撑，持续拉开与海外竞争对手的代差优势。
二、国家战略兜底：33 万亿韩元产业扶持，构建存储全链条壁垒
韩国政府将 HBM、3D DRAM、新型非易失存储写入国家战略技术清单，出台《半导体特别法》配套财税、基建、人才全套扶持政策，举全国之力护航这场存储赛道博弈。
财政层面，2026 年半导体专项扶持资金扩容至 33 万亿韩元，对 HBM、先进 DRAM 产线投资提供最高 75% 研发税额抵免；地方落地电价优惠、用地快速审批政策，引导千亿级存储投资布局龙仁、光州半导体集群，打造集晶圆制造、先进封装、设备材料于一体的 HBM 产业园区。
产业生态层面，韩国划定 MRAM、ReRAM、SOM 等下一代存储为核心攻关方向，打通存储设计、硅片、光刻胶、TSV 堆叠封装本土供应链，降低海外设备材料依赖；设立五大半导体研发特区，每年划拨数十亿韩元专项经费，联合企业攻坚存储底层材料与架构创新，避免重演传统 DRAM 后期海外追赶局面。
顶层定位上，韩国总统多次公开强调，HBM 等下一代存储是国家生存级产业，存储芯片霸权直接决定本国在全球 AI 产业链的议价权，政企建立月度协同机制，快速解决扩产能源、人才、出口合规等各类制约问题。
三、技术路线双轨并行：短期 HBM 收割红利，中长期颠覆式存储锁死未来
韩国存储产业制定清晰的长短双线技术路线，一边依靠 HBM 兑现当下 AI 红利，一边提前布局可完全替代 DRAM 的下一代存储架构。
短期主战场 HBM：依托多年堆叠、TSV 封装技术积累，持续迭代 HBM4、HBM5 产品，深度绑定英伟达、AMD、云服务商头部客户，凭借带宽、功耗、良品率优势锁定全球 AI 服务器存储订单。机构预测 2027 年全球 HBM 市场持续供不应求，三星、SK 海力士将持续享受高溢价红利，HBM 业务毛利率远超传统通用 DRAM。
中长期技术储备分为两大方向：一是 3D DRAM、垂直栅极 VG-DRAM，革新传统平面晶体管结构，大幅提升存储密度、降低功耗，作为传统 DRAM 平滑迭代替代方案；二是 SOM、MRAM 等存储级内存，融合 DRAM 高速读写与闪存非易失特性，彻底打破存储墙瓶颈，面向下一代通用计算、车载 AI 市场，打造全新存储标准，完成对传统 DRAM 的终极替代。
四、博弈风险浮现，韩国存储豪赌暗藏多重挑战
高额押注背后，韩国产业面临三重核心不确定性。
其一，全球存储追赶提速。多国加大本土 HBM 与先进 DRAM 研发投入，国内存储厂商持续推进先进制程与堆叠技术突破，中长期将稀释韩国独家供给格局。
其二，行业周期波动隐患。当前 AI 驱动存储高景气，但消费电子、PC 端通用存储需求疲软，若 AI 资本开支降温，大规模扩产或将引发产能过剩、价格下跌风险。
其三，全球贸易与技术管制约束。海外半导体出口、关税政策变动，可能限制韩国 HBM 海外出货；高端 EUV 设备、核心材料供应也存在外部制约。
业内分析指出，韩国这场 “下一个 DRAM” 豪赌胜负关键，在于能否在未来 3-5 年持续守住 HBM 技术代差、完善本土上下游供应链，同时完成颠覆性新型存储商业化落地，否则高额资本投入将面临回报不及预期的压力。
从掌控全球 80% 以上传统 DRAM 市场，到如今举国押注 HBM 与下一代存储，韩国延续了存储赛道长期重投入、抢先卡位的产业逻辑。AI 算力时代，存储不再是配套零部件，而是算力系统的核心瓶颈。这场横跨企业、政府、长达十年的战略博弈，不仅决定韩国半导体产业下一个十年的全球地位，也将重塑全球 AI 算力产业链的利益分配格局。
