AI 算力沿基础元器件逐级点火，硬件底层迎来超级景气周期

导语

市场目光长期聚焦 GPU、光模块等核心算力芯片，却忽略支撑整套算力体系运转的基础元器件。自 2026 年起，AI 算力需求正沿着产业链由核心向外传导：HBM、DRAM 内存率先开启量价齐升通道，作为 “电子工业大米” 的 MLCC 电容紧随其后迎来大范围缺货涨价。两大不起眼的基础零部件先后进入供需失衡周期，印证 AI 基建热潮正从顶层芯片渗透至硬件最底层，整条电子制造产业链迎来逐级点燃的结构性红利窗口。

正文

第一阶段：存储芯片率先引爆，AI 重构内存供需底层逻辑

本轮产业链景气度的第一波点火点落在存储赛道。2022 至 2025 年全球存储行业持续深度去库存，三星、SK 海力士、美光主动收缩成熟制程资本开支，市场长期处于供大于求状态。随着多模态大模型、AI Agent 规模化落地，AI 服务器算力需求呈指数级增长，彻底扭转存储供需格局。

数据显示，单台 AI 服务器 DRAM 搭载量为传统通用服务器 8 倍，HBM 高带宽内存成为高端训练卡标配，大模型 Token 规模每翻倍，HBM 需求同步增长四倍。全球云厂商持续加码算力资本开支，优先锁定 HBM、DDR5 高端产能，三大存储巨头主动将产能向高附加值算力存储倾斜，消费电子存储供给被动收缩，形成结构性紧缺。

高盛研报指出，2026 年全球 HBM 供需缺口达 5.1%，为十五年以来最高水平；DRAM 现货价格自 2025 年末持续上行，存储厂商业绩实现数倍级反弹，行业正式开启长达五年的超级上行周期。内存赛道率先完成 “去库存 — 需求爆发 — 涨价扩产” 完整行情，为下游基础元器件打开涨价预期空间。

第二阶段：MLCC 电容接力上涨，算力高密度催生海量增量需求

存储热度尚未消退，被动元件赛道迎来第二波行情，多层陶瓷电容 MLCC 成为算力产业链新供给瓶颈。业内将 MLCC 称作电子工业刚需耗材，单颗成本低廉、长期依附手机、家电等消费电子周期，此前市场关注度极低，如今被 AI 算力彻底重塑需求曲线。

AI 服务器单机功耗大幅抬升，单机柜功率突破 40kW，GPU 瞬时电流波动加剧，需要海量高容、耐高温、低阻抗 MLCC 实现电压缓冲与电路稳压。物料清单数据显示，传统服务器仅需数千颗 MLCC，英伟达 GB200 平台主板搭载量约 6500 颗，下一代 Rubin 架构算力主板用量攀升至 12000 颗，单机电容需求提升 8-12 倍。

需求跳增叠加供给刚性约束，MLCC 市场快速陷入缺货潮。村田、三星电机、太阳诱电等日韩龙头先后发布涨价通知，7 月起 AI 服务器专用高容 MLCC 调价 10%-40%，现货市场稀缺型号涨幅最高翻倍，交付周期由 10 周拉长至 20 周。厂商调研反馈，高端 MLCC 产线从规划、设备导入到稳定量产需 2-3 年，核心钛酸钡粉体、纳米镍粉上游材料扩产周期更长，短期产能难以匹配算力爆发式增量，高端紧缺格局至少延续至 2027 年。

传导逻辑：同一周期剧本，算力需求沿硬件链条逐层外溢

内存与电容两轮行情共享一套产业周期逻辑，只是传导存在时间差。前周期消费电子下行，存储、被动元件同步进入去库存、低价格、零备货状态；AI 算力爆发后，云厂商、服务器厂商集中补库存，优先抢占高价值核心零部件，稀缺型号现货价格快速拉升，原厂顺势上调长期合约价格。

二者最大共性在于结构性分化：算力专用高端型号供不应求、持续涨价，传统消费电子品类复苏平缓，行业呈现 K 型复苏格局。机构分析，AI 硬件需求传导链条清晰：GPU 核心芯片→HBM/DRAM 存储→MLCC 电容、一体成型电感、PCB 载板等底层元器件，内存、电容点火完成后，电感、钽电容、高端板材将成为下一轮景气受益环节。

不同于以往消费电子短期库存周期，本轮上涨具备长期支撑。全球各国算力基础设施建设进入扩张期，生成式 AI、本地推理、行业大模型落地持续创造新增服务器订单；AI 芯片架构迭代不断抬高单机元器件搭载量，算力密度提升持续放大基础耗材需求，周期持续性显著强于过往手机换机行情。