2026 年 6 月 5 日，杭州璞璘科技（Prinano）联合深圳力策科技正式宣布重大产业突破：双方依托璞璘科技自主研发的PL-AS 真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，成功实现 8 英寸光芯片晶圆规模化量产验证，全程绕开传统深紫外（DUV）光刻路线，将光芯片制造成本压缩至 DUV 方案的十分之一，为我国半导体光刻领域开辟出一条自主可控、低成本的全新路径。
核心技术突破：自主装备打破海外垄断
此次量产突破的核心在于璞璘科技自研的半导体级真空气压式纳米压印技术，彻底摆脱对 ASML DUV 光刻机的依赖。该设备采用独创的 “空气垫” 式面接触压印原理，区别于行业主流辊压线接触和佳能喷墨步进式路线，具备三大核心优势：
- 超高精度：线宽分辨率可达 10nm 以下，晶圆整面压力均匀性误差控制在 0.5% 以内，残余层厚度偏差小于 2nm，加工精度全面对标 DUV 工艺。
- 高效量产：支持 8 英寸晶圆全域一次压印，相较步进式工艺大幅提升生产效率，适配光芯片大规模量产需求。
- 广泛适配：兼容硬质与柔性模板，适配硅光、GaAs/InP 脆性衬底等多类光芯片生产，已在大口径 OPA 激光雷达芯片、光通信传感芯片等领域完成规模化验证。作为国内首款光芯片专用纳米压印光刻设备，PL-AS 的成功商用，打破了海外企业在半导体级纳米压印装备领域的垄断，标志着我国在非光学光刻路线上实现从 “工艺研发” 到 “商用替代” 的关键跨越。
颠覆性降本：成本直降 90%，重塑产业格局
传统光芯片制造长期依赖进口 DUV 光刻机，设备采购价高昂、运维成本高、供货周期长，是制约国内光芯片产业规模化发展的核心瓶颈。而国产真空气压式纳米压印方案通过简化设备结构、摒弃昂贵光学系统、采用低成本耗材三大路径，实现极致降本：
- 设备成本锐减：无需 DUV 光刻机复杂的光学镜头、精密光源等核心组件，设备投资成本大幅降低。
- 运维费用低廉：耗电量仅为 EUV 设备的十分之一，且可复用长寿命复合模板，耗材成本显著下降。
- 单片成本腰斩：经量产验证，光芯片单片制造成本仅为传统 DUV 方案的 1/10，降幅高达 90%。当前，全球 AI 算力爆发拉动高速光模块、硅光芯片需求激增，低成本量产方案的落地，将助力国内光芯片厂商摆脱高价进口设备束缚，加速中高端光芯片国产化替代，推动光通信、激光雷达、AI 算力光互连等产业链成本下探。
产业意义：开辟自主可控新赛道，赋能国产半导体崛起
业内专家表示，纳米压印技术作为下一代微纳图形制造的核心路线之一，凭借 “工艺简洁、分辨率高、成本可控、良率稳定” 的优势，成为光芯片、存储芯片等细分赛道替代传统光刻的最优解之一。
此次国产真空气压式纳米压印实现 DUV 量产替代，不仅为我国光芯片产业提供了 “绕开技术封锁、摆脱设备依赖” 的破局方案，更形成了可复制、可推广的非光学光刻技术体系。未来，随着技术持续迭代与产能扩张，该方案有望进一步拓展至先进逻辑芯片、三维集成等更多半导体领域，为我国半导体产业自主可控发展注入强劲动力。
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