九峰山半导体生产制造基地（一标段）首桩顺利开钻，项目正式进入实质性建设阶段。作为光谷 14 平方公里九峰山化合物半导体产业创新街区的核心量产载体，基地开工建设标志着光谷打通研发 — 中试 — 量产关键链路，补上区域化合物半导体规模化量产载体短板，为打造千亿级化合物半导体产业集群筑牢硬件支撑。
项目坐落于武汉东湖新技术开发区科技一路以南、苏湖路以东片区，总投资约 52 亿元，用地 214 亩，总建筑面积近 39 万平方米。本次启动的一标段总建筑面积约 12 万平方米，建设多栋研发办公楼、配套宿舍楼。远期规划建设 5 栋标准化 Fab 洁净厂房、动力站、大宗气站等配套设施，可承载 8 英寸 MEMS、12 英寸硅基氮化镓等先进化合物半导体产线落地，整体计划 2028 年 6 月建成投用。
长期以来，光谷依托九峰山实验室建成国内领先的化合物半导体中试平台，集聚一大批材料、芯片、器件创新主体，但专业化规模化量产空间不足，大量实验室技术成果难以快速实现产业化放大，成为制约产业规模扩张的突出瓶颈。九峰山制造基地瞄准这一痛点，打造标准化、高规格半导体量产载体，解决企业自建产线投入高、周期长的难题，支持创新成果从中试快速转向商业化批量生产。
项目建成后，将与九峰山实验室中试平台、化合物半导体孵化加速基地形成功能联动，构建 “基础研究 — 中试验证 — 规模化制造” 完整产业生态，重点赋能氮化镓、碳化硅等第三代半导体技术落地，支撑新能源汽车、光通信、射频器件、低空经济、人工智能等下游应用产业发展。
施工方介绍，项目团队已完成施工方案优化、技术交底、安全培训等各项前期筹备工作，严格遵循洁净厂房特殊建设标准，精细化推进桩基施工，保障工程安全、高效、高质量推进。依托该基地载体优势，光谷将持续吸引产业链上下游企业集聚，力争加快形成国内领先、具备全球竞争力的化合物半导体产业高地，助力我国宽禁带半导体产业链自主可控。
