近日，全球氮化物半导体产业链迎来关键技术转向：伴随 AI 算力、800V 新能源汽车、大型光伏储能、高压工业传动等大功率场景需求爆发，传统横向平面氮化镓（Lateral GaN）器件性能瓶颈凸显，垂直结构氮化镓（Vertical GaN，vGaN） 成为产业共识下的核心技术路线，海内外科研机构、功率半导体大厂同步加速技术突破与样品送样，正式拉开氮化镓高压化、大功率化新时代序幕。 一、横向 GaN […]
AI 算力革命重构全球存储产业格局，传统二维 DRAM 逼近物理微缩极限。韩国以政企协同、千亿级资本投入、全链条技术攻坚的组合拳，将高带宽内存 HBM定位为 “新一代 DRAM” 核心替代赛道，同步布局 3D DRAM、SOM、MRAM 等颠覆性存储技术，试图复刻 DRAM 时代全球垄断优势，牢牢攥住 AI 产业底层核心筹码。 首尔 2026 年 6 月 22 日电｜当下全球大模型训练、超算、AI […]
